孙璟兰研究员

孙璟兰：1984年复旦大学电子工程系微电子专业学士学位。1987年中国科学院研究生院硕士学位，研究课题—半导体材料中的深能级缺陷。2000年获香港大学物理系凝聚态物理专业博士学位，研究课题—高温超导薄膜材料与器件物理。

研究方向：铁电薄膜物理和红外探测器研究。具体研究内容为1. 铁电薄膜铁电、介电性质研究，以及铁电薄膜漏电机制研究。2. 铁电薄膜红外探测器的设计与制备。

 

 

考试科目一(任选其一):固体物理 

考试科目二(任选其一):半导体物理与半导体器件物理 

 

所在单位:中国科学院上海技术物理研究所 

部　　门:物理室 

地　　址:上海市玉田路500号 

邮　　编:200083 

电　　话:021-25051414 

手　　机:13 

电子邮件:jlsun@mail.sitp.ac.cn