陈平平研究员

陈平平: 男，研究员， 博士。1991年9月杭州大学物理系本科毕业，19994年在中科院固体物理研究所获硕士学位，1999年3月于南京大学获理学博士学位。 1999.3---2001.5月在中国科学院上海技术物理研究所从事博士后研究。2001.6--2003年12月任日本东北大学金属材料研究所COE研究员(博士后)。 2004年1月-至今在中国科学院上海技术物理研究所工作，为红外物理国家实验室分子束外延专项实验室负责人。近10年来一直从事III-V半导体材料的分子束外延生长和物性研究。对于GaAs基, 氮化物基半导体薄膜及量子阱材料作系统研究。成功生长高质量GaN,InN基半导体薄膜, 及生长高质量GaN基磁性半导体材料(GaMnN,GaCrN)，相关单篇论文被引用30多次。在国际上首先从事 InN基稀磁半导体的生长和物性研究，成功制备InMnN,InCrN磁性半导体。目前正在开展InAs基量子点材料及稀氮半导体材料（如GaInNAs材料等）的分子束外延生长和物性研究。在国内外核心刊物上共发表50来篇论文.目前负责上海市浦江人才基金等多项基金，作为骨干人员参加国家重大基础研究项目。
近几年的主要论文有：

1．P. P. Chen et.al Thin Solid Film 513 (2006) 166–169
2. P.P. Chen, et;al Journal of Crystal Growth 269 66(2004)
3. P.P. Chen, et.al Solid State Communications Vol 130 p25，(2004)
4. P. P. Chen , et.al Physica E Vol 21，p983，(2004)
5. P. P. Chen , et.al Journal of Crystal Growth Vol. 251 p 331,( 2003)

6. Z. L. Liu, P. P. Chen*, et.al, Journal of Apply Physics ,101, 113514 (2007)（*通讯作者）

主要专利：．

陈平平 陆卫 刘昭麟 李天信 王少伟 陈效双 名称：一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法申请号：200610-117009.6, 申请日：2006年10月11日