李志锋研究员

李志锋， 理学博士、研究员          1965年11月出生于福建省

学历：

1997年9月～2000年7月：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室博士生，获博士学位。1990年9月～1994年7月：南京大学物理系在职硕士生，获硕士学位。1981年9月～1985年7月：南京大学物理系学生。

 

工作经历:

1985-1997: 南京大学物理系半导体教研室工作，任助理工程师、工程师。在陈坤基教授指导下，对非晶态薄膜和多层膜的生长、结构、光电特性、激光改性以及器件应用等方面进行研究。

1995-1996: 香港科技大学物理系访问学者，从事准分子激光脉冲淀积非晶碳薄膜、金刚石薄膜和GaN 薄膜的制备、结构和发光特性的研究。

1997-2000: 中国科学院上海技术物理研究所博士研究生。在沈学础院士、陆卫研究员的指导下，进行了GaN 薄膜中载流子浓度和迁移率的光谱研究、CdZnTe 晶片的显微荧光成像光谱研究、V-GaAs 单量子线的扫描荧光谱以及GaAs/AlGaAs 量子阱组合离子注入材料芯片的制备和荧光研究等。

2000- : 助理研究员、副研究员、研究员。在上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室工作。建立对红外探测器用多量子阱材料显微荧光分析方法，实现对探测器峰值响应波长的推算和预测；利用显微拉曼光谱手段实现对硅微电阻桥列阵红外图像仿真器中电阻桥实际温度的检测和计算，得到电流－温度关系和硅微电阻桥整个桥面的热传导特性分布；建立激光束诱导电流扫描谱的检测装置和分析模型。利用远红外磁光回旋共振研究了GaN/AlGaN 异质结二维电子气的有效质量及其与势垒高度的关系；建立皮秒脉冲激光光源系统，对碲镉汞器件少子寿命及双光子吸收等行为进行了研究。