康亭亭研究员

康亭亭，男，博士，研究员。2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。2007年9月至2011年9月在日本从事博士后研究。期间分别为福井大学(University of Fukui, 日本国福井县福井市)电气电子工学专攻博士研究员，东京大学相关基础科学系特任研究员。2011年10月加入中国科学院上海技术物理研究所。

主要从事与化合物半导体材料、物理、器件相关的实验工作。早期研究为三族氮化物半导体的金属有机物气相沉积（MOCVD）生长和物性研究。他是氮化铟(InN)六角对称nanoflower生长模式的发现者[Nature Nanotechnology(Page 13, Vol. 1, 2006)选为research highlights]，以及InN能带争议中 “Mie Resonances” 问题的澄清者[T.V. Shubina, et al., Physical Review Letters 95, 209901 (2005)]。

近期研究方向为基于GaAs/AlGaAs、 InP/InGaAsP双量子阱的电荷敏感型红外探测器，以及由此带来的低温电学测量与物理问题。

以第一作者（同时也是通讯作者）在物理学三大期刊(Physical Review B, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics ) 以及Optics Letters, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices等期刊上发表论文8篇。这些论文分别被Nature Nanotechnology、 MRS Bulletin期刊选为研究亮点，或入选Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology。

当前主要研究领域为：

1，窄禁带半导体(InN、InAs、InSb等)的材料生长与物性研究；

2，高灵敏度红外太赫兹双量子阱探测器的研制及新探测机制的阐明；

3，半导体微结构的低温输运测量；

 

所在单位:中国科学院上海技术物理研究所

 

部　　门:物理室

 

地　　址:上海市玉田路500号

 

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