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王兴军研究员

发布时间:2013-11-13|| 【关闭窗口】 【打印】
    中科院上海技术物理研究所,博士, 研究员。1995年毕业于上海交通大学物理系;2000年在复旦大学物理
系获得理学博士学位,20002003年任复旦大学物理系讲师;20042005年日本东北大金属研究所担任非常
任讲师;20062010年在瑞典林雪平大学材料物理系从事博士后研究。20103进入上海技术物理研究所,
研究员。主持国家自然科学基金,中科院百人计划,院三期创新项目,浦江人才计划项目以及作为骨干参与
科技部973重大项目专项课题。2011年获得中科院‘杰出海外归国人员’资助。
   至今在Nature MaterialsNature CommunicationsP.N.A.SPhys. Rev. B, Appl. Phys. LettSCI杂志上发表
文章50余篇,论文SCI刊物他人引用460多次。主要从事半导体磁-光谱和磁共振光谱学方面的研究。最近几
年的研究工作主要包括:1) 利用非磁性材料砷化镓(GaAs)中引入的缺陷态实现在室温零磁场条件下对电子自
旋的控制。工作发表Nature Materials (2009) 2利用磁共振技术研究ZnO中缺陷问题的文章被 J. Phys.: D 
杂志选为 2009年度亮点 (highlight) 文章。3)利用InP材料中的缺陷电子实现对核自旋的快速(<0.1 ms)有效的
控制,工作发表在Phys. Rev. B (2012)
       近期主要发表文章摘选:
1. Y. Puttisong, X. J. Wang et al. Nature Communications. 4, 1751 (2013)
2. Y. L. Li, X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 112, 123515 (2012)
3. X. J. Wang et al. Phys. Rev. B. 86, 205202 (2012)
4. X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 111, 043520 (2012)
5. X. J. Wang et al. Nature Materials 8, 198 (2009)
6. X. J. Wang et al. Appl. Phys. Lett. 95, 241904 (2009)
7. X. J. Wang et al. J. Phys.: D. 42, 175411 (2009)
8.X. J. Wang et al. J. Appl. Phys. 103, 023712 (2008)
9. X. J. Wang et al. Appl. Phys. Lett.89, 151909 (2006)
 

考试科目一(任选其一):固体物理;电磁场理论 

考试科目二(任选其一):光学(含物理光学、应用光学);半导体物理与半导体器件物理;

 

所在单位:中国科学院上海技术物理研究所  

部  门:物理室 

地  址:上海市玉田路500号 

邮  编:200083 

电  话:021-25051879 

手  机:13 

电子邮件:xjwang@mail.sitp.ac.cn

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