胡淑红副研究员

胡淑红，女，1973年2月生。2001年毕业于浙江大学硅材料国家重点实验室，获工学博士学位。2001年7月到中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室工作。2003年聘任副研究员。攻读博士学位期间主要从事半导体温差电材料的研究，对半导体纳米材料的制备及其电子、声子输运特性作了大量研究。

在红外物理国家重点实验室工作期间，主要从事异质外延薄膜、波导材料、及光电器件物理等方面的研究工作，在薄膜材料异质外延生长以及相关光学、电学方面的测试积累了丰富的经验。作为课题负责人承担了国家自然科学基金和上海市科委基金等项目。在Appl.Phys.Lett，J.Cryst.Growth等国外刊物发表多篇相关论文。

代表论文及专利如下：

1. S.H.Hu, X.J.Meng, G.J.Hu, J.H.Chu, and N.Dai，L.Xu, L.Y.Liu, and D.X.Li. “The Preparation and Optical Waveguide Property of Metal Alkoxide Solution-Derived Pb(Zr_0.5Ti_0.5)O₃ Thick Films” Appl.Phys. Lett，84，3609-3611 (2004).

2. S.H.Hu, G.J.Hu, X.J.Meng，G.S.Wang, J.L.Sun,S.L.Guo, J.H.Chu, N.Dai. “The grain size effect of the Pb(Zr_0.45Ti_0.55)O₃ thin films deposited on LaNiO₃-coated silicon by modified sol-gel process”. J. Cryst. Growth, 260, 109-114 (2004),

3. 胡淑红，戴宁，孟祥建，胡古今，孙艳，王根水等 “锆钛酸铅厚膜材料的制备方法”, 发明专利，专利号“ZL 03 150823.5”。国际专利主分类号：C04 B35/491授权公告日:2005年7月13日。